Samsung

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Datu nesēji

221.28 € bez PVN

Noliktavā · 343

Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

Samsung MZ-V9S1T0. SDD diskdziņa kapacitāte: 1 TB, SSD formas standarts: M.2, Lasīšanas ātrums: 7150 MB/s, Rakstīšanas ātrums: 6300 MB/s, Komponente: PC (dators)

  • 1 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Lasīšanas ātrums: 7150 MB/s 850000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
  • Rakstīšanas ātrums: 6300 MB/s 1350000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Aparatūras šifrēšana 256-bit AES
  • S.M.A.R.T. atbalsts TRIM atbalsts
  • Komponente: PC (dators)

Specifikācija

Galvenie parametri
Saskarne PCI Express 4.0
NVMe
Read speed 7150 MB/s
Memory type V-NAND TLC
Write speed 6300 MB/s
M.2 SSD size 2280 (22 x 80 mm)
NVMe version 2.0
SSD capacity 1 TB
TRIM support
Component for PC
Operating shock 1500 G
SSD form factor M.2
Operating voltage 3.3 V
Random read (4KB) 850000 IOPS
Random write (4KB) 1350000 IOPS
S.M.A.R.T. support
Hardware encryption
Security algorithms 256-bit AES
Power consumption (idle) 0.06 W
Power consumption (read) 4.3 W
Power consumption (write) 4.2 W
Operating temperature (T-T) 0 - 70 °C
DevSlp (device sleep) support
Average power consumption (read) 4.3 W
Average power consumption (write) 4.2 W
Mean time between failures (MTBF) 1500000 h
Power consumption DevSlp (device sleep) 5 mW
Svars un izmēri
Depth 2.38 mm
Width 80.2 mm
Height 80.2 mm
Iepakojums
Bruto svars 0,068 kg
Bruto dziļums 100 mm
Bruto platums 145 mm
Bruto augstums 24 mm

Vēsture

Nesen skatītie