Samsung

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Носители данных

267.75 € НДС включён

В наличии · 343

Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

Samsung MZ-V9S1T0. Объем SSD: 1 TB, форм-фактор тевродотельного диска: M.2, Скорость считывания: 7150 MB/s, Скорость записи: 6300 MB/s, Комплектующие для: ПК

  • 1 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Скорость считывания: 7150 MB/s 850000 IOPS
  • Скорость записи: 6300 MB/s 1350000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • аппаратное шифрование 256-bit AES
  • Поддержка S.M.A.R.T. Поддержка TRIM
  • Комплектующие для: ПК

Характеристики

Основные
Интерфейс PCI Express 4.0
NVMe
Read speed 7150 MB/s
Memory type V-NAND TLC
Write speed 6300 MB/s
M.2 SSD size 2280 (22 x 80 mm)
NVMe version 2.0
SSD capacity 1 TB
TRIM support
Component for PC
Operating shock 1500 G
SSD form factor M.2
Operating voltage 3.3 V
Random read (4KB) 850000 IOPS
Random write (4KB) 1350000 IOPS
S.M.A.R.T. support
Hardware encryption
Security algorithms 256-bit AES
Power consumption (idle) 0.06 W
Power consumption (read) 4.3 W
Power consumption (write) 4.2 W
Operating temperature (T-T) 0 - 70 °C
DevSlp (device sleep) support
Average power consumption (read) 4.3 W
Average power consumption (write) 4.2 W
Mean time between failures (MTBF) 1500000 h
Power consumption DevSlp (device sleep) 5 mW
Вес и размеры
Depth 2.38 mm
Width 80.2 mm
Height 80.2 mm
Упаковка
Вес брутто 0,068 кг
Глубина брутто 100 мм
Ширина брутто 145 мм
Высота брутто 24 мм

История

Вы недавно смотрели

13.58 €

НДС включён

В наличии

Получите 24 октября